[HTML][HTML] 脉冲变压器驱动SiC MOSFET 型Marx 同步特性

江进波, 陈锐, 赵青, 马可, 姚延东… - High Power Laser and …, 2023 - opticsjournal.net
摘要为实现全固态Marx 发生器中多个SiC MOSFET 开关的同步驱动, 设计了一种基于脉冲
变压器的驱动控制电路. 多路驱动信号的同步性会影响到Marx 发生器的输出波形参数 …

[PDF][PDF] 基于SiC 器件的隔离双向混合型LLC 谐振变换器

朱小全, 刘康, 叶开文, 蒋黎明… - TRANSACTIONS OF …, 2022 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要针对传统双有源桥型直流变换器的软开关范围窄, 开关频率低等问题,
该文提出一种隔离双向混合型LLC 谐振变换器, 适用于可再生能源分布式发电系统的储能结构中 …

[PDF][PDF] 基于全碳化硅功率组件的变流器母排杂散电感解析计算方法

刘博, 刘伟志, 董侃, 马强… - TRANSACTIONS OF …, 2021 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要碳化硅(SiC) 器件的高开关速度使得其对杂散参数更为敏感, 容易激发高频振荡和超调.
因此需要对功率回路杂散电感进行准确计算, 其中以母排电感最为关键. 该文首先对现有母排 …

Synchronous characteristics of SiC MOSFET driven by pulse transformer for Marx generator

J Jinbo, C Rui, Z Qing, M Ke, Y Yandong, C Guifeng - 强激光与粒子束, 2023 - hplpb.com.cn
To achieve synchronous driving of multiple SiC MOSFET switches in an all solid-state Marx
generator, a drive control circuit based on a pulse transformer was designed. The …

Analytical models of the crosstalk voltage in SiC MOSFETs under different loads

H Xu, Y Cai, P Sun, Z Zhao, B Cao - IET Power Electronics, 2023 - Wiley Online Library
Due to the higher switching speed and lower threshold voltage of SiC MOSFET, its crosstalk
issue is more serious than that of Si devices. Firstly, the mechanism and process of crosstalk …

[PDF][PDF] 一种低母线电压尖峰的改进型Y 源逆变器及其可靠性分析

姚婷婷, 管乐诗, 石恩达, 王卫, 徐殿国 - 电工技术学报, 2021 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要该文提出一种改进型Y 源逆变器, 通过拓扑结构优化, 有效地改善了输入电流特性,
同时减小母线电压尖峰. 以采用SiC MOSFET 为例, 详尽分析该改进型Y 源逆变器的可靠性分析 …

[PDF][PDF] 阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法

蔡雨萌, 赵志斌, 徐子珂, 孙鹏, 李学宝 - 电工技术学报, 2022 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要功率MOSFET 器件栅极分离电容CV 特性(CGS-VG, CGD-VG) 的准确测量对于器件的建模
及栅氧可靠性的评估十分重要. 阻抗分析仪是测量CGS-VG, CGD-VG 的关键设备 …

[PDF][PDF] Cascode GaN 高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析

岳改丽, 向付伟, 李忠 - 电工技术学报, 2021 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要为了减小氮化镓驱动电路高频工作时的损耗, 针对共栅共源氮化镓高电子迁移率晶体管(
Cascode GaN HEMT) 提出一种高频谐振驱动电路, 采用储能元件替代传统驱动电路中的耗能 …

[PDF][PDF] 针对GaN 器件的非对称双路同步谐振栅极驱动电路

高珊珊, 王懿杰, 刘怡宁, 徐殿国 - 电工技术学报, 2021 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要近年来, 氮化镓(GaN) 器件凭借其开关速度快, 导通电阻小等优点被广泛应用于电力电子
变换器中, 与此同时, 谐振栅极驱动电路也受到广泛的关注, 特别是在高开关频率 …

High-frequency Driving Circuit and Loss Analysis of SIC MOSFET Based on Discrete Components

GL Yue, ZJ Wang, FW Xiang, ZZ Xu - Journal of Electrical Engineering & …, 2024 - Springer
To reduce the loss of the high-frequency drive circuit of silicon carbide metal oxide
semiconductor transistor (SiC MOSFET) and to better utilize the performance of the SiC …