P Paziewski, H Supronowicz, M Suproniuk - Przegląd Elektrotechniczny, 2017 - pe.org.pl
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania …
W Janke, M Bączek, J Kraśniewski - Przeglad Elektrotechniczny, 2018 - pe.org.pl
W pracy omówiono współczesne tranzystory mocy używane najczęściej w impulsowych przekształtnikach mocy i porównano ich przydatność. Najwięcej uwagi poświęcono …
W Janke - Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki …, 2016 - bibliotekanauki.pl
Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono …
This dissertation is devoted to research on the development of microwave amplifiers with GaN HEMTs designed for minimal transmittance distortions within certain time interval of …
M Glinkowski, B Paszkiewicz, R Paszkiewicz - 2018 - studygamedev.com
Deep Level Transient Spectroscopy DLTS belong to capacitance transient thermal scanning method used for observing deep impurities and defect states in semiconductor [1]. Deep …