Non-arrhenius degradation of AlGaN/GaN HEMTs grown on bulk GaN substrates

M Tapajna, N Killat, J Moereke… - IEEE electron device …, 2012 - ieeexplore.ieee.org
The reliability of AlGaN/GaN HEMTs processed on bulk GaN substrates was studied using
electrical and optical methods, showing a decreasing degradation with increasing base …

[PDF][PDF] Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

P Paziewski, H Supronowicz, M Suproniuk - Przegląd Elektrotechniczny, 2017 - pe.org.pl
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku
galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania …

[PDF][PDF] Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback

W Janke, M Bączek, J Kraśniewski - Przeglad Elektrotechniczny, 2018 - pe.org.pl
W pracy omówiono współczesne tranzystory mocy używane najczęściej w impulsowych
przekształtnikach mocy i porównano ich przydatność. Najwięcej uwagi poświęcono …

[PDF][PDF] Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy

W Janke - Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki …, 2016 - bibliotekanauki.pl
Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron
mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono …

Application of GaN HEMT Microwave Transistors in Amplifiers for T/R Radar Modules

D Kuchta - 2020 - repo.pw.edu.pl
This dissertation is devoted to research on the development of microwave amplifiers with
GaN HEMTs designed for minimal transmittance distortions within certain time interval of …

[PDF][PDF] BRIEF INTRODUCTION TO DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY

M Glinkowski, B Paszkiewicz, R Paszkiewicz - 2018 - studygamedev.com
Deep Level Transient Spectroscopy DLTS belong to capacitance transient thermal scanning
method used for observing deep impurities and defect states in semiconductor [1]. Deep …