对粉体形貌, 晶体结构进行表征, 用ICP 进行杂质元素分析. 结果表明: 所制备的I In 2 O 3 …
[引用][C] 高迁移率IWO 透明导电氧化物薄膜制备及其退火处理研究
李桂锋, 张群, 王颖华, 李喜峰 - 真空科学与技术学报, 2008
[引用][C] 新型透明导电ZnO∶ Mo 薄膜
王三坡, 沈杰, 章壮健, 杨锡良, 张群 - 真空科学与技术学报, 2008
[引用][C] In_2O_3: W 薄膜的制备及光电性能研究
李渊, 王文文, 张俊英 - 功能材料, 2011
[引用][C] 沉积温度对IMO 透明导电薄膜光电性能的影响
袁果, 黎建明, 张树玉, 刘伟, 闫兰琴 - 真空科学与技术学报, 2010
[引用][C] SiO2 阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO 薄膜性能的影响
任世荣, 陈新亮, 张存善, 孙建, 张晓丹, 耿新华, 赵颖 - 人工晶体学报, 2011
[引用][C] P 型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究
王颖华, 张群, 李桂锋, 施展, 谭华 - 真空科学与技术学报, 2008
[引用][C] IVA 元素掺杂的ZnO 的电学和光学性质
姚银华, 曹全喜 - 真空科学与技术学报, 2013
[引用][C] 透明导电InSnGaMo 氧化物薄膜光电性能研究
刘振华, 刘宝琴, 张春伟, 王书昶, 刘拥军, 何军辉 - 真空科学与技术学报, 2012
[引用][C] 氧分压对IWO 薄膜表面形貌及光电性能的影响
张远鹏, 王文文, 秦诗瑶, 于蕾 - 大连理工大学学报, 2011