Temperature and excitation dependence of stimulated emission and spontaneous emission in InGaN epilayer
X An, Z Shang, C Ma, X Zheng, C Zhang… - Chinese …, 2019 - iopscience.iop.org
Temperature and excitation dependent photoluminescence (PL) of InGaN epilayer grown on
c-plane GaN/sapphire template by molecular beam epitaxy (MBE) has been systematically …
c-plane GaN/sapphire template by molecular beam epitaxy (MBE) has been systematically …
[PDF][PDF] Dependencia térmica de la corriente umbral en láseres semiconductores a pozo cuántico.
Se presenta un estudio de la dependencia térmica de la corriente umbral en láseres de
diferentes materiales haciendo énfasis los láseres en base a GaInNAs. En este caso se …
diferentes materiales haciendo énfasis los láseres en base a GaInNAs. En este caso se …