[PDF][PDF] Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
АС Гаркавенко, ВА Мокрицкий… - Технология и …, 2014 - dspace.nbuv.gov.ua
ИОнИЗАЦИОннЫЙ ОТЖИГ ПОЛУПРОВОДнИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ. ЧАСТЬ ПЕРВАЯ: ТЕОР
Page 1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014, № 4 50 …
Page 1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014, № 4 50 …
[PDF][PDF] Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных …
АС Гаркавенко - Технология и конструирование в …, 2011 - dspace.nbuv.gov.ua
ТОНКАЯ СТРУКТУРА СПЕКТРОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОЙ НАКАЧ Page
1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 5 27 ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ …
1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011, № 5 27 ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ …
Вплив альфа-опромінення на кремнієві мон-транзистори
БП Коман - Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2012 - semst.onu.edu.ua
Анотація Робота присвячена дослідженню альфа-радіаційно-індукованих змін
характеристик і параметрів кремнієвих МОН-транзисторів з полікремнієвим затвором …
характеристик і параметрів кремнієвих МОН-транзисторів з полікремнієвим затвором …
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
АС Гаркавенко - Технология и конструирование в …, 2012 - dspace.nbuv.gov.ua
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с
электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически …
электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически …
[PDF][PDF] Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
АС Гаркавенко - Технология и конструирование в …, 2010 - dspace.nbuv.gov.ua
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ДОКАЗАТЕЛЬСТВО ЭКСИТОННО-ПЛАЗМЕННОГО ФАЗОВОГО ПЕ
Page 1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010, № 3 21 …
Page 1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010, № 3 21 …
РАДИАЦИОННАЯ МОДИФИКАЦИЯ СПЕКТРОВ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
YI Lepikh, VA Mokritsky, SV Lenkov… - Сенсорна …, 2010 - semst.onu.edu.ua
Анотація У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з
використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення …
використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення …
MODIFICATION OF PARAMETERS IR-FOTODETECTORS BY HIGH-ENERGY PARTICLES
VA Zavadsky, GS Popik - Photoelectronics, 2009 - elibrary.ru
Irradiation influence by high-energy particles, by y-quantums and fast electrons on
parametersof IR-photodetectors on the basis of triple semi-conductor compound cadmium …
parametersof IR-photodetectors on the basis of triple semi-conductor compound cadmium …
[PDF][PDF] Âîðîáüâ ÍÂ, ßêóíèí ÀÍ Ñõåñîòåõíèêà ÝÂÌ: â 2-õ÷ àñòÿõ.× àñòü 1: Êîìáèíàöèîííûå óçëû. Ì.: ÌÈÝÒ, 2009. 164 ñ.
Н АППАРАТУРЫ - Electron Device Letters, IEEE, 2004 - dspace.nbuv.gov.ua
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА: ИССЛЕДОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ никает в результате
рекомбинации электронно-дырочной плазмы высокой плотности, образовавшейся …
рекомбинации электронно-дырочной плазмы высокой плотности, образовавшейся …
[引用][C] СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И НЕЙТРОНОВ НА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Н ГАЛЛИЯ
[引用][C] Влияние радиационного облучения на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия
ВА Завадский - Современные информационные и электронные …, 2013 - elibrary.ru
Приведены результаты исследований и показаны возможности использования
радиационного облучения высокоэнергетическими частицами в технологии …
радиационного облучения высокоэнергетическими частицами в технологии …