Gas sensor applications of porous Si layers

J Mizsei - Thin solid films, 2007 - Elsevier
The porous silicone (PSi) is a relatively new and promising semiconductor material with
special physical and chemical properties which somewhat differ from the properties of single …

Evolution of visible photoluminescence of Si quantum dots embedded in silicon oxide matrix

AY Karlash, VA Skryshevsky, GV Kuznetsov… - Journal of alloys and …, 2013 - Elsevier
Photoluminescence properties of nc-Si/SiO x nanocomposites produced by pressing the
mixture of the silica aerogel powder with the porous silicon have been studied. The …

Basics of MIS-type gas sensors with thin nanoporous silicon

VA Skryshevsky - 2014 IEEE 34th International Scientific …, 2014 - ieeexplore.ieee.org
This paper presents a model of the electrical transport in MIS structure of metal-thin
nanoporous silicon-p-Si. The obtained analytical expressions allow analyzing the …

Overcharging of porous silicon localized states at gas adsorption

VA Skryshevsky, VM Zinchuk, AI Benilov… - Semiconductor …, 2006 - iopscience.iop.org
The behaviour of localized states in Pd/nano-or mesoporous Si/p-Si heterojunctions is
studied by the DLTS technique in a vacuum and different atmospheres: ambient air, Ar, N 2 …

Improved hydrogen detection of island type palladium film—nanoporous silicon diode at room temperature

VA Skryshevsky, V Polischuk, AI Manilov… - Сенсорна …, 2008 - semst.onu.edu.ua
Intact cells of the gene-engineered thermotolerant methylotrophic yeast Hansenula
polymorpha with a high content of NAD+-and glutathione-dependent formaldehyde …

Comparative study of electro-physical properties of heterostructures containing PECVD nanocrystalline and anodic porous silicon layers

VA Vikulov, VV Korobtsov, AA Dimitriev, K Kim, S Jung… - Thin solid films, 2009 - Elsevier
We performed a comparative study of the electro-physical properties of heterostructures
containing PECVD nanocrystalline silicon (nc-Si) and electro-chemically etched porous …

МЕТОД НАХОЖДЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ПОЛИМЕРОВ

AS Usenko - Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2008 - semst.onu.edu.ua
Анотація Розроблено модель взаємодії аналіту з хеморезистивним сенсором на основі
електропровідного полімеру для довільної стехіометрії. У квазірівноважному наближені …

Структурные, оптические и электрофизические свойства гетероструктур со слоями нанокристаллического и пористого кремния

ВА Викулов - 2007 - elibrary.ru
Цель работы: определение структурных, оптических и электрофизических свойств
гетероструктур со слоями нанокристаллического и пористого кремния. Показано, что …

[PDF][PDF] Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур

ЮВ Бойко, ГВ Кузнецов, СМ Савицкий… - … и конструирование в …, 2007 - dspace.nbuv.gov.ua
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ СПЕКТРОМЕТР ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ ДЛЯ
ИССЛЕДОВАНИЯ ПО Page 1 Технология и конструирование в электронной аппаратуре …

IMPACT OF GAS ADSORPTION AND pH OF SOLUTIONS ON RADIATIVE LIFETIME OF MODIFIED POROUS SILICON LAYERS

AI Benilov, IV Gavrilchenko, IV Benilova… - Сенсорна …, 2007 - semst.onu.edu.ua
The time-resolved photoluminescence and radiative decay time of modified layers of porous
silicon (PS) were studied at the adsorption of saturated organic vapors and buffers solutions …