Chemoheteroepitaxy of 3C‐SiC (111) on Si (111): Influence of Predeposited Ge on Structure and Composition
C Zgheib, MN Lubov, DV Kulikov… - … status solidi (a), 2021 - Wiley Online Library
Secondary ion mass spectroscopy, Fourier transformed infrared spectroscopy, ellipsometry,
reflection high energy diffraction and transmission electron microscopy are used to gain …
reflection high energy diffraction and transmission electron microscopy are used to gain …
Computer simulation of the creation of 31P-doped layer in 28Si/30Si/28Si heterostructure by neutron transmutation doping
YV Trushin, GV Mikhailov, EE Zhurkin… - … in Science and …, 2003 - spiedigitallibrary.org
Recently various physical phenomena involving nuclear spins in semiconductors attract
much attention. The problem is to produce an array of impurity atoms with nuclear spin I= 1/2 …
much attention. The problem is to produce an array of impurity atoms with nuclear spin I= 1/2 …
Теория и компьютерное моделирование взаимодействия ионов с поверхностью многокомпонентных материалов
ЮВ Трушин, ДВ Куликов, ВС Харламов - … Российской академии наук …, 2006 - elibrary.ru
Методами компьютерного моделирования исследованы процессы, происходящие в
результате взаимодействия ионов с многокомпонентными полупроводниковыми …
результате взаимодействия ионов с многокомпонентными полупроводниковыми …
Computer simulation and SIMS profiling of Zn implantation in A3B5 semiconductors
BJ Ber, AP Kovarsy, AA Schmidt… - … in Science and …, 2002 - spiedigitallibrary.org
The method for the determination of the impurity displacement threshold energy in
semiconductor heterostructures is further developed. New experimental samples for this …
semiconductor heterostructures is further developed. New experimental samples for this …