Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals
YA Suchikova, VV Kidalov, GA Sukach - Semiconductors, 2011 - Springer
Using scanning electron microscopy, the influence of dislocations on the mechanism of pore
formation during electrolytic etching of single-crystal InP is shown. During studying of the …
formation during electrolytic etching of single-crystal InP is shown. During studying of the …
Blue shift of photoluminescence spectrum of porous InP
Y Suchikova, V Kidalov, G Sukach - ECS Transactions, 2010 - iopscience.iop.org
The samples of porous InP were grown up by a method of anode etching on a substrate
(100) InP n-type. The samples were characterized by SEM and photoluminescence (PL) …
(100) InP n-type. The samples were characterized by SEM and photoluminescence (PL) …
[PDF][PDF] Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах n-InP (111)
ЯА Сычикова, ВВ Кидалов, ГА Сукач - Физика и техника …, 2011 - journals.ioffe.ru
При помощи растровой электронной микроскопии показано влияние дислокаций на
механизм порообразования при электролитическом травлении монокристаллического …
механизм порообразования при электролитическом травлении монокристаллического …
Decreased thermal diffusivity in fluids containing InP nanocrystals
JF Sánchez Ramírez, SF Arvizu Amador… - Journal of Thermal …, 2015 - Springer
Colloidal suspensions of semiconductor InP nanocrystals were prepared using the reaction
of indium myristate and tris (trimethylsilyl) phosphine in 1-octadecene at elevated …
of indium myristate and tris (trimethylsilyl) phosphine in 1-octadecene at elevated …
Morphologies and photoluminescence properties of porous n-InP
Y Suchikova, I Bogdanov… - 2017 IEEE 7th …, 2017 - ieeexplore.ieee.org
The samples of porous InP were grown up by a method of anode electrochemical etching on
a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic …
a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic …
[PDF][PDF] Вплив дислокацій на пороутворення в монокристалах n-InP та n-GaP, оброблених в травниках на основі HF
ЯО Сичікова, ГО Сукач, ВВ Кідалов… - Фізика і хімія твердого …, 2010 - page.if.ua
Проведені експериментальні дослідження морфології, структури,
ренгенодифрактограм, електронограм та хімічного складу поруватих зразків InP та GaP …
ренгенодифрактограм, електронограм та хімічного складу поруватих зразків InP та GaP …
Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs
ЯО Сичікова, ВВ Кідалов, ГО Сукач… - Електроніка та зв' …, 2010 - elc.kpi.ua
Анотація Пористі шари p-типу GaAs були отримані електролітичним травленням. При
цьому вдалося отримати пористий шар, який складався з нанокристалітів розміром 0, 1 …
цьому вдалося отримати пористий шар, який складався з нанокристалітів розміром 0, 1 …
Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP
The samples of porous InP were grown up by a method of anode electrochemical etching on
a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic …
a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic …
Morphologies and Photoluminescence Properties of Porous n-InP
The samples of porous InP were grown up by a method of anode electrochemical etching on
a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic …
a substrate (100) InP n-type. The samples were characterized by scanning electronic …
[引用][C] Estudio de propiedades térmicas de puntos cuánticos de fosfuro de indio para su posible aplicación en fotodetectores
JL González - 2022