This paper has presented the potential distribution for asymmetric double gate (DG)
MOSFET, and sloved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential …

In this work, a new approach to determine the effect of direct source-to-drain tunneling
(DSDT) on 2-D double-gate (DG) MOSFETs is presented. The tunneling probability of …

In the last few years the Tunnel-FET has become one of the promising devices to be the
successor of the MOSFET due to its CMOS compatibility and steep subthreshold slopes (S) …

This paper has presented the change of subthreshold swings for gate oxide thickness of
asymmetric double gate (DG) MOSFET, and solved Poisson equation to obtain the analytical …

요 약비대칭 이중게이트 (double gate; DG) MOSFET 의 문턱전압이하 스윙의 게이트 산화막
두께에 대한 변화를 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 구하였다 …

In the last few years the downscaling of MOSFETs has caused problems due to the
increasing short-channel effects (SCEs) in the sub 22 nm technology. The conventional …

요 약비대칭 이중게이트 MOSFET 의 전위분포에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여
포아송방정식의 해석학적 해를 구하였다. 대칭 DGMOSFET 는 3 단자 소자로서 상하단의 …

요 약본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 의 채널도핑농도의 변화에 따른 문턱전압이하 전류의
변화를 분석하였다. 이를 위하여 이중게이트 MOSFET 의 채널 내 전위분포를 구하기 위하여 …

요 약 DGMOSFET 의 항복전압에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 분석학적
해 및 Fulop 의 항복전압조건을 사용하였다. DGMOSFET 는 게이트단자의 전류제어능력 …

This paper have presented the breakdown voltage for double gate (DG) MOSFET. The
analytical solution of Poisson's equation and Fulop's breakdown condition have been used …