Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization
SA Ponomarev, KE Zakhozhev, DI Rogilo… - Journal of Crystal …, 2024 - Elsevier
We have studied the structural and morphological features of SnSe 2 films grown on Si (111)
and Bi 2 Se 3 (0001) surfaces in an in situ reflection electron microscope. On both …
and Bi 2 Se 3 (0001) surfaces in an in situ reflection electron microscope. On both …
Structural transitions on Si (1 1 1) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM
AS Petrov, DI Rogilo, RA Zhachuk, AI Vergules… - Applied Surface …, 2023 - Elsevier
Using in situ ultrahigh vacuum reflection electron microscopy, we have studied structural
transitions on the Si (1 1 1) surface induced by Sn deposition up to 2 ML coverage (1 ML …
transitions on the Si (1 1 1) surface induced by Sn deposition up to 2 ML coverage (1 ML …
Van der Waals Heteroepitaxial Growth of Layered SnSe on Surfaces Si (111) and Bi Se (0001)
SA Ponomarev, KE Zakhozhev, DI Rogilo… - … and Data Processing, 2022 - Springer
Layered SnSe films of nearly 50 and 30 nm in thickness were grown on Si (111) and Bi Se
(0001) substrates, respectively, with the use of in situ reflection electron microscopy. In both …
(0001) substrates, respectively, with the use of in situ reflection electron microscopy. In both …
[PDF][PDF] ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВЫЙ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ СЛОИСТОГО SnSe2 НА ПОВЕРХНОСТЯХ Si (111) и Bi2Se3 (0001)
ДВ Щеглов, АГ Милёхин, АВ Латышев - АВТОМЕТРИЯ, 2022 - researchgate.net
С использованием метода in situ отражательной электронной микроскопии выращены
плёнки слоистого SnSe2 толщиной около 50 и 30 нм на подложках Si (111) и Bi2Se3 …
плёнки слоистого SnSe2 толщиной около 50 и 30 нм на подложках Si (111) и Bi2Se3 …
Silicon growth and etching by oxygen and selenium: evolution of Si (111)-7× 7 surface structure and morphology
DI Rogilo, SV Sitnikov, SA Ponomarev… - The Sixth Asian School …, 2022 - elibrary.ru
Using in situ reflection electron microscopy and ex situ atomic force microscopy, we have
studied the morphological stability of large-scale (~ 10–100 μm) Si (111)-7× 7 terraces …
studied the morphological stability of large-scale (~ 10–100 μm) Si (111)-7× 7 terraces …
Процессы на поверхности кремния: от исследования диффузии атомов до управления макрорельефом
ДИ Рогило, СВ Ситников, АС Петров… - Актуальные …, 2022 - scholar.archive.org
DOI 10.34077/SILICON2022-35 Кремний является одной из важнейших подложек для
выращивания полупроводниковых наноструктур, критические размеры которых …
выращивания полупроводниковых наноструктур, критические размеры которых …
Учредители: Сибирское отделение РАН, Институт автоматики и электрометрии СО РАН
КВ ЧИЖ, ЛВ АРАПКИНА, ВП ДУБКОВ… - Автометрия, 2022 - elibrary.ru
Один из перспективных подходов к решению задачи производства недорогих
матричных фотоприёмных устройств заключается в разработке диодных матриц на …
матричных фотоприёмных устройств заключается в разработке диодных матриц на …