Effects of crystallographic orientation of GaAs substrate and the period of plasmon grid on THz antenna performance
AM Buryakov, MS Ivanov, DI Khusyainov… - Annalen der …, 2021 - Wiley Online Library
An alternative approach is proposed to improve the conventional (based on the low‐
temperature grown GaAs and Si‐doped GaAs superlattice) photoconductive antenna (PCA) …
temperature grown GaAs and Si‐doped GaAs superlattice) photoconductive antenna (PCA) …
Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas
The effect of epitaxial stresses on the excess-carrier dynamics and the terahertz radiation
spectrum of the In y Ga 1–y As films have been investigated by optical pump-probe and …
spectrum of the In y Ga 1–y As films have been investigated by optical pump-probe and …
Effect of epitaxial stresses on the time dynamics of Photoexcited charge carriers in InGaAs− based Superlattices
We report on the time-resolved measurements of photocarrier dynamics in InGaAs/InAlAs
superlattices with epitaxial stresses in a wide range of optical pump fluences. We …
superlattices with epitaxial stresses in a wide range of optical pump fluences. We …
The role of excitation photons energy in the photoinduced carrier dynamics in InGaAs/InAlAs superlattice heterostructures
The influence of excitation photons energy on the relaxation times of photoexcited carriers is
studied. The involved relaxation mechanisms are evaluated and the reflection coefficient of …
studied. The involved relaxation mechanisms are evaluated and the reflection coefficient of …
Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
АМ Буряков, ДИ Хусяинов, ЕД Мишина… - Письма в Журнал …, 2018 - mathnet.ru
Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации
фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов …
фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов …
Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
ДИ Хусяинов, АМ Буряков, ВР Билык… - Письма в Журнал …, 2017 - mathnet.ru
Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical
pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временно́й области исследовано …
pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временно́й области исследовано …
Electrical and Photoluminescence Studies of {LT-GaAs/GaAs: Si} Superlattices Grown by MBE on (100)-and (111) A-Oriented GaAs Substrates
GB Galiev, EA Klimov, AN Klochkov, VB Kopylov… - Semiconductors, 2019 - Springer
The results of studying semiconductor structures proposed for the first time and grown, which
combine the properties of LT-GaAs with p-type conductivity upon doping with Si, are …
combine the properties of LT-GaAs with p-type conductivity upon doping with Si, are …
Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на …
ГБ Галиев, ЕА Климов, АН Клочков… - Физика и техника …, 2019 - mathnet.ru
Представлены результаты исследования впервые предложенных и выращенных
полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и $ p $-тип проводимости …
полупроводниковых структур, сочетающих свойства LT-GaAs и $ p $-тип проводимости …
Intersubband Absorption in Gallium Arsenide Implanted with Silicon Negative Ions
Gallium arsenide (GaAs) implanted with silicon forming intersubband of SiGaAs is a
promising material for making novel electronic and optoelectronic devices. This paper is …
promising material for making novel electronic and optoelectronic devices. This paper is …