Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂ (Si) films under thermal and laser annealing
OV Steblova, AA Evtukh, OI Bratus… - Semiconductor …, 2014 - dspace.nbuv.gov.ua
Oxide-assisted growth of Si nanocrystals includes deposition of a siliconenriched SiOx film
at the first stage and annealing at the second one. The ion-plasma sputtering method has …
at the first stage and annealing at the second one. The ion-plasma sputtering method has …
Theoretical and experimental investigations of laser annealing non-stoichiometric SiOx films
OO Gavryliuk, OY Semchuk… - Physics and Chemistry …, 2015 - journals.pnu.edu.ua
In this work, spreading of temperature profiles and influence of a temperature on forming
silicon nanoparticles in non-stoichiometric SiO x films after laser annealing is investigated …
silicon nanoparticles in non-stoichiometric SiO x films after laser annealing is investigated …
[PDF][PDF] MODELING OF TEMPERATURE DISTRIBUTION IN THE STRUCTURE A-SI-SN-A-SI AT LASER IRRADIATION
O Havryliuk - Publishing House “Baltija Publishing”, 2020 - baltijapublishing.lv
The film composite «Si nanocrystals in the matrix of amorphous Si»(nc-Si) is considered a
promising material for the next generation of solar cells (CE) at quantum dots [1, p. 951] …
promising material for the next generation of solar cells (CE) at quantum dots [1, p. 951] …
[引用][C] Фізика і хімія твердого тіла
OO Гаврилюк, ОЮ Семчук, БВ Литовченко - pnu.edu.ua
В даній роботі було досліджено розповсюдження температурних профілів та вплив
температури на формування наночастинок кремнію в нестехіометричних плівках SiOx …
температури на формування наночастинок кремнію в нестехіометричних плівках SiOx …
[引用][C] ЕЛЕКТРОННИЙ ТРАНСПОРТ ТА ЕЛЕКТРОННА ПОЛЬОВА ЕМІСІЯ З НАНОКОМПОЗИТНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР
ОВ Стеблова - 2016 - … УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ТАРАСА …