[PDF][PDF] Расчет вольт-амперных характеристик симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия с учетом …
ДВ Поздняков, ВМ Борздов… - Физика и техника …, 2004 - journals.ioffe.ru
Предложен подход к учету влияния процессов разрушения когерентности электронных
волн в квантовой яме симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур …
волн в квантовой яме симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур …
Интенсивность рассеяния электронов на полярных оптических фононах в квантовой яме двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе …
ВМ Борздов, ДВ Поздняков - 2002 - elib.bsu.by
Известно, что процессы рассеяния электронов оказывают значительное влияние на
электрические свойства двухбарьерных резонансно-туннельных структур (ДБРТС)(см …
электрические свойства двухбарьерных резонансно-туннельных структур (ДБРТС)(см …
[PDF][PDF] Квантовая электроника: перспективные направления
166 Литература к разделу 1 1. Манак ИС, Жуковский ВВ, Леоненя МСФизич Page 1 166
Литература к разделу 1 1. Манак ИС, Жуковский ВВ, Леоненя МСФизические основы …
Литература к разделу 1 1. Манак ИС, Жуковский ВВ, Леоненя МСФизические основы …
Calculation of current-voltage characteristics of gallium arsenide symmetric double-barrier resonance tunneling structures with allowance for the destruction of …
DV Pozdnyakov, VM Borzdov, FF Komarov - Semiconductors, 2004 - Springer
An approach that describes the effect of electron-wave coherence destruction in quantum
wells of GaAs-based symmetric double-barrier resonance tunneling structures on their …
wells of GaAs-based symmetric double-barrier resonance tunneling structures on their …