В монографии описывается методология многомерного моделирования физических
процессов в элементах и фрагментах кремниевых сверхбольших и ультрабольших …

Рассматривается новое направление анализа элементов кремниевых интегральных
схем (ИС), в том числе больших (БИС) и сверх больших (СБИС), связанное с …

Монография посвящена вопросам постановки, методам и алго-ритмам решения задачи
численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее …

Дан краткий анализ состояния в области учета эффектов высокого уровня легирования
при численном расчете полупроводниковых приборов. Исследовано влияние трех …

Рассмотрены методы и алгоритмы трехмерного численного анализа, положенные в
основу универсальной программы моделирования полупроводниковых приборов …

Рассмотрены тенденции и проблемы современного этапа развития численного
моделирования физических процессов в полупроводниковых структурах. Описан …

Рассмотрен комплекс программ одномерного, двумерного и трехмерного численного
моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем …

Разработан способ построения начального приближения для задач численного
анализа МДП-приборов. Способ проиллюстрирован на задаче двумерного анализа …

Разработан язык описания структур элементов интегральных схем (ИС). Предложен
способ формирования распределенного описания ИС и алгоритм идентификации …

Приведены результаты вычислительного эксперимента по исследованию явлений
переноса подвижных носителей зарядов в структуре ячейки интегральных схем с …