[PDF][PDF] Свойства планарных транзисторных термодатчиков при действии радиации
ШД Курмашев, ИМ Викулин… - … праці ОНАЗ ім. ОС …, 2011 - eprints.library.odeku.edu.ua
Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэффициента усиления β
от величины потоков электронов, нейтронов и γ-квантов, а также влияние …
от величины потоков электронов, нейтронов и γ-квантов, а также влияние …
[PDF][PDF] Радиационная стойкость планарных транзисторных термодатчиков
ШД Курмашев, ИМ Викулин - Сенсорна електроніка і …, 2011 - semst.onu.edu.ua
Исследована зависимость прямого падения напряжения U и коэôôициента усиления β
от величины потоков электронов, нейтронов и γ-квантов, а также влияние эôôективной …
от величины потоков электронов, нейтронов и γ-квантов, а также влияние эôôективной …
Радіаційно-термшне корегування властивостей арсеніду галію
СВ Ленков, ДВ Лукомський, ВА Мокрицький… - Proceedings of National … - jrnl.nau.edu.ua
У бортовій радіоелектронній апаратурі широко використовують елементи, шо побудо
вані на монокристалічному і епітаксійному арсеніді галію. Ці елементи є найвідповідаль …
вані на монокристалічному і епітаксійному арсеніді галію. Ці елементи є найвідповідаль …
Властивості планарних транзисторних термодавачів при дії радіації
ШД Курмашев, ІМ Вікулін… - Научные труды ОНАС …, 2011 - ojs.suitt.edu.ua
Аннотация Досліджено залежність прямого падіння напруги U і коефіцієнта посилення
β від величини потоків електронів, нейтронів і γ-квантів, а також вплив ефективної …
β від величини потоків електронів, нейтронів і γ-квантів, а також вплив ефективної …
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
ВА Завадский, СВ Ленков… - Технология и …, 2002 - dspace.nbuv.gov.ua
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида
галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В …
галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В …
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
ЛФ Викулина, ЕФ Храмов - Технология и конструирование в …, 2001 - dspace.nbuv.gov.ua
Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых
переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения …
переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения …
[引用][C] РАДІАЦІЙНО-СТИМУЛЬОВАНІ ПРОЦЕСИ В КРЕМНІЄВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРАХ
БВ Павлик - 2016 - … національний університет імені …