Abstract n-CoFe 2 O 4/n-CdTe heterojunctions with a current rectification ratio of 3· 10 5 at voltages| V|= 1.5 V were made by spray pyrolysis of aqueous solutions of cobalt and iron …
Conditions for the fabrication of isotype photodiode n-Mn 2 O 3 n-CdZnTe heterostructures by the spray pyrolysis of thin α-Mn 2 O 3 bixbite films on n-CdZnTe crystalline substrates …
ZnO: Al/n-ZnSe/p-CdTe anisotype heterostructures with diode properties were fabricated by the high-frequency magnetron deposition of ZnO: Al and n-ZnSe thin films onto the surface …
Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур 𝑛-Mn2O3/𝑛- CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту 𝛼-Mn2O3 на кристалiчнi …
Е ВЛАСТИВОСТI, IЕП ФОТОЧУТЛИВИХ - jnas.nbuv.gov.ua
Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур 𝑛-Mn2O3/𝑛- CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту 𝛼-Mn2O3 на кристалiчнi …
Conditions for the fabrication of isotype photodiode 𝑛-Mn2O3𝑛-CdZnTe heterostructures by the spray pyrolysis of thin 𝛼-Mn2O3 bixbite films on 𝑛-CdZnTe crystalline substrates have …