The temperature dependence of contact resistivity ρ c in lapped silicon specimens with
donor concentrations of 5× 10 16, 3× 10 17, and 8× 10 17 cm− 3 was studied …

This review is devoted to presentation and analysis of physical mechanisms of ohmic
contacts formation in semiconductors. In addition to the classical mechanisms known for …

В современной технике повсеместно применяется теплопроводящая паста,
получившая еще одно название–термоинтерфейс, задача которого улучшить качество …

Представлены экспериментальные результаты измерений параметров
микрополосковой коммутирующей сверхвысокочастотной интегральной схемы в …

Measuring data for the parameters of a microstrip switching superhigh-frequency integrated
circuit on a 100-μm-thick polycrystalline diamond film are reported. Measurements are taken …

Приведены результаты экспериментов по определению зависимости термоэдс от
качества нанесения теплопроводящего компаунда. Показано, что данные о качестве …

Потери, генерируемые полупроводниковыми кристаллами в процессе работы,
приводят к повышению их температуры, снижению производительности и надежности …

The method of electrophysical diagnostic of n+-n-n+ structures at the etching stage of
manufacturing process of power IMPATT diodes has been proposed. A numerical method …

The dependence of the thermal characteristics of TVS-diodes during the passage of the
pulse overload has been studied. The time dependences of the pulse voltage limitation and …

The kinetics of photocurrent is studied in the presence of the intrinsic irradiation at h ν≥ 1.12
eV in the Mn 4 Si 7-Si-Mn 4 Si 7 and Mn 4 Si 7-Si-M heterojunctions at relatively high …