Pseudo halide vapor phase epitaxy growth of GaN crystals

[PDF] ikz-berlin.de

[PDF][PDF] Gallium Nitride

TDS Golka, K Kachel, R Nitschke - Leibniz-Institut für Kristallzüchtung - ikz-berlin.de
Übersicht In Fortsetzung unserer im letzten Bericht geschilderten Arbeiten, haben wir das
Wachstum einkristalliner, Kohlenstoff-dotierter GaN-Schichten aus der Gasphase entwickelt …
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