[HTML][HTML] On the Ge shallow-to-deep level transition in Al-rich AlGaN
Contrary to the arsenides where donors undergo stable DX transition, we find that Ge in
AlGaN does not suffer from the DX transition; instead, it undergoes a shallow donor (30 …
AlGaN does not suffer from the DX transition; instead, it undergoes a shallow donor (30 …
[HTML][HTML] Polarization-induced electrical conductivity in ultra-wide band gap AlGaN alloys
AM Armstrong, AA Allerman - Applied Physics Letters, 2016 - pubs.aip.org
Unintentionally doped (UID) AlGaN epilayers graded over Al compositions of 80%–90% and
80%–100% were grown by metal organic vapor phase epitaxy and were electrically …
80%–100% were grown by metal organic vapor phase epitaxy and were electrically …
ЭЛЕКТРОННЫЙ ОБМЕН МЕЖДУ ПРИМЕСНЫМИ ЦЕНТРАМИ ОЛОВА В РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ PbSzSe1-z
ПП Серегин, НП Серегин, АВ Шалденкова… - ФИЗИКА …, 2017 - elibrary.ru
Настоящая работа посвящена идентификации U-минус центров олова и исследованию
процесса электронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными U …
процесса электронного обмена между нейтральными и ионизованными донорными U …