Дефекты и примеси в кремнии и методы их геттерирования
ВН Литвиненко, НВ Богач - Вестник Херсонского национального …, 2017 - cyberleninka.ru
В статье рассмотрены основные виды структурных дефектов и примесей в кремнии.
Представлен анализ влияния структурных дефектов и примесей в кремнии на …
Представлен анализ влияния структурных дефектов и примесей в кремнии на …
Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами в сильнолегированном слое, на характеристики кремниевых n+–p–p+ …
ЮА Агафонов, НМ Богатов, ЛР Григорьян… - Поверхность …, 2018 - elibrary.ru
Облучение полупроводниковых структур низкоэнергетическими протонами
используется для контроля изменения свойств на глубине от 0.1 до 1000 мкм …
используется для контроля изменения свойств на глубине от 0.1 до 1000 мкм …
Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
НА Соболев, АЕ Калядин, КФ Штельмах… - Физика и техника …, 2021 - mathnet.ru
Исследована дислокационная люминесценция в не имплантированных и
имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной …
имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной …
Si: Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
НА Соболев, АЕ Калядин, МВ Коновалов… - Физика и техника …, 2016 - mathnet.ru
Исследованы кремниевые светодиоды, изготовленные с помощью имплантации ионов
Si и газофазного осаждения. В светодиодах на основе $ n $-Si наблюдается …
Si и газофазного осаждения. В светодиодах на основе $ n $-Si наблюдается …
Моделирование дефектов в структуре карбида кремния
ЕВ Соколенко, ГВ Слюсарев - Неорганические материалы, 2019 - elibrary.ru
Методом DFT рассчитаны электронные плотности чистых и дефектных кластеров
карбида кремния. Установлено, что локальные уровни, возникающие в энергетической …
карбида кремния. Установлено, что локальные уровни, возникающие в энергетической …
Учредители: Сибирское отделение РАН, Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирский национальный исследовательский …
ДЛ ГОРОШКО, ИМ ГАВРИЛИН, АА ДРОНОВ… - Автометрия, 2023 - elibrary.ru
Сплошные и пористые плёнки сплавов Si 1-x Ge x с содержанием германия около 40%
и толщиной 3-4 мкм, сформированные на монокристаллическом кремнии методом …
и толщиной 3-4 мкм, сформированные на монокристаллическом кремнии методом …
[PDF][PDF] ИК-ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЁННОГО ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ИОНАМИ Хе, ПОСЛЕ ОТЖИГОВ
H Rinnert, M Vergnat - АВТОМЕТРИЯ, 2022 - researchgate.net
Исследована фотолюминесценция высокоомного кремния, облучённого тяжёлыми
высокоэнергетичными ионами ксенона (167 МэВ). В спектрах фотолюминесценции при …
высокоэнергетичными ионами ксенона (167 МэВ). В спектрах фотолюминесценции при …
Моделирование областей разупорядочения в процессе радиационного дефектообразования
НМ Богатов, ЛР Григорьян… - Экологический …, 2019 - vestnik.kubsu.ru
В данной статье рассматривается модель областей разупорядочения,
формирующихся в результате разделения пар Френкеля с учетом нейтрального и …
формирующихся в результате разделения пар Френкеля с учетом нейтрального и …
КИНЕТИКА ПРОЦЕССОВ В СИСТЕМЕ" ВНЕДРЕННЫЕ АТОМЫ КРИСТАЛЛ" С УЧЕТОМ ПРОТЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ
ЛК Израилева, ЭН Руманов - … . Рентгеновские, синхротронные и …, 2010 - elibrary.ru
Предложена модель отжига имплантированного слоя, пригодная для описания
процессов рекомбинации собственных межузельных атомов, реакций с внедренными …
процессов рекомбинации собственных межузельных атомов, реакций с внедренными …
[PDF][PDF] Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si
АН Михайлов, АИ Белов, ДС Королев… - Физика и техника …, 2014 - researchgate.net
Исследовано влияние дополнительной имплантации примесных ионов С+, О+, В+, Р+ и
Ge+ с отжигом при 800◦ С на поведение линии дислокационной фотолюминесценции …
Ge+ с отжигом при 800◦ С на поведение линии дислокационной фотолюминесценции …