Modeling of Resonant-Tunneling Diodes I–V Characteristics' Kinetics Under Destabilizing Factors' Influence During Operation
KV Cherkasov, SA Meshkov… - 2019 International …, 2019 - ieeexplore.ieee.org
The object of research is resonant-tunneling diode (RTD) based on GaAs/AlGaAs multilayer
heterostuctures. The purpose of research is to investigate the kinetics of RTD IV …
heterostuctures. The purpose of research is to investigate the kinetics of RTD IV …
Assessment of the resistance to diffusion destruction of AlAs/GaAs nanoscale resonant-tunneling heterostructures by IR spectral ellipsometry
MO Makeev, YA Ivanov, SA Meshkov - Semiconductors, 2016 - Springer
A technique for assessing the quality of AlAs/GaAs nanoscale resonant-tunneling
heterostructures from the viewpoint of their resistance to diffusion destruction is developed …
heterostructures from the viewpoint of their resistance to diffusion destruction is developed …
Quality diagnostics of nanoscale AlAs/GaAs resonant tunnelling heterostructures based on IR-spectroscopic ellipsometry
MO Makeev, YA Ivanov… - Journal of Physics …, 2015 - iopscience.iop.org
In this work, the procedure of assessing the quality of AlAs/GaAs resonant tunnelling
heterostructures with relation to their resistance to diffusion destruction was developed. The …
heterostructures with relation to their resistance to diffusion destruction was developed. The …
Study of degradation processes kinetics in ohmic contacts of resonant tunneling diodes based on nanoscale AlAs/GaAs heterostructures under influence of …
MO Makeev, SA Meshkov - 2017 the 2nd International …, 2017 - ui.adsabs.harvard.edu
The artificial aging of resonant tunneling diodes based on nanoscale AlAs/GaAs
heterostructures was conducted. As a result of the thermal influence resonant tunneling …
heterostructures was conducted. As a result of the thermal influence resonant tunneling …
Surface modification of polyfluoroolefin films by glow discharge
AB Gilman, MS Piskarev, MY Yablokov… - Russian Journal of …, 2015 - Springer
Abstract Effect of dc discharge treatment on the surface properties of polyfluoroolefin films
was studied. It is found that modification leads to significant improvement of contact …
was studied. It is found that modification leads to significant improvement of contact …
Исследование термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур
МО Макеев, ЮА Иванов, СА Мешков… - Машиностроение и …, 2012 - cyberleninka.ru
Проведено исследование термической деградации AuGeNi омических контактов РТД.
Предложена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi …
Предложена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi …
К вопросу о повышении надежности смесительных AlAs/GaAs резонансно-туннельных диодов конструкторско-технологическими методами
МО Макеев, ЮА Иванов, СА Мешков… - Машиностроение и …, 2013 - cyberleninka.ru
Разработана методика исследования изменения вольт-амперных характеристик
резонансно-туннельных диодов под действием деградационных процессов в его …
резонансно-туннельных диодов под действием деградационных процессов в его …
Assessment of resistance of AlAs/GaAs nanoscale heterostructures of resonant-tunneling diodes to diffusion destruction by means of IR-spectroscopic ellipsometry
MO Makeev, YA Ivanov, VY Sinyakin… - 2014 24th …, 2014 - ieeexplore.ieee.org
In the course of the work the procedure of the quality assessment of AlAs/GaAs resonant-
tunneling heterostructures with relation to their resistance to diffusion destruction was …
tunneling heterostructures with relation to their resistance to diffusion destruction was …
Исследование алмазоподобных покрытий методами ИК спектральной эллипсометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света
МО Макеев, ЕА Жукова - Машиностроение и компьютерные …, 2013 - cyberleninka.ru
Проведено исследование защитных алмазоподобных покрытий, нанесенных на
образцы из полиамидоимида, методами ИК-спектральной эллипсометрии и …
образцы из полиамидоимида, методами ИК-спектральной эллипсометрии и …
Исследование характеристик и методов нанесения резиста с применением ИК-спектральной эллипсометрии
МО Макеев, АВ Зверев… - … университета им. НЭ …, 2015 - cyberleninka.ru
Проведены исследование характеристик и оценка однородности нанесения резиста
Ultra-i 123-0.35 методом ИК-спектральной эллипсометрии. Определены оптические …
Ultra-i 123-0.35 методом ИК-спектральной эллипсометрии. Определены оптические …