[HTML][HTML] 大功率电力电子器件散热研究综述
李广义， 张俊洪， 高键鑫 - 兵器装备工程学报, 2020 - 082yr36v53.porno.trophiz.com
针对现阶段制约电力电子技术发展的散热问题, 以温度对电力电子器件的影响,
电力电子设备热设计特点, 常见散热技术, 散热系统优化研究和新材料在电力电子散热研究中的 …
电力电子设备热设计特点, 常见散热技术, 散热系统优化研究和新材料在电力电子散热研究中的 …
Research on crosstalk problem of SiC MOSFET module and countermeasures in application
LIU Min'an, LUO Haihui, LU Shengwen… - Electric drive for …, 2024 - edl.csrzic.com
In view of the crosstalk problem in the application of SiC MOSFET module, this paper first
conducted a comparison of the parameters and measured waveform of three types of …
conducted a comparison of the parameters and measured waveform of three types of …
[PDF][PDF] SiC MOSFET 模块串扰问题及应用对策研究
刘敏安， 罗海辉， 卢圣文， 王旭， 李诚 - 机车电传动, 2023 - edl.csrzic.com
针对SiC MOSFET 模块应用过程中出现的串扰问题, 文章首先对3 种测量差分探头的参数和测量
波形进行对比, 有效减小测量误差; 然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向 …
波形进行对比, 有效减小测量误差; 然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向 …
SiC MOSFET 栅源电压评估及驱动回路参数优化设计方法
秦海鸿， 谢斯璇， 卜飞飞， 陈文明， 黄文新 - 中国电机工程学报, 2021 - epjournal.csee.org.cn
为减少碳化硅(silicon carbide, SiC) 金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor
field-effect transistor, MOSFET) 的开关时间和导通电阻以提高效率, 通常建议驱动电路采用更 …
field-effect transistor, MOSFET) 的开关时间和导通电阻以提高效率, 通常建议驱动电路采用更 …
[PDF][PDF] 抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET 有源驱动方法研究
冯超， 李虹， 蒋艳锋， 赵星冉， 杨志昌 - 中国电机工程学报, 2019 - researchgate.net
为了满足电力电子系统高频, 高效和高功率密度的需求, 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(
silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor, SiC MOSFET) …
silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor, SiC MOSFET) …
SiC MOSFET 短路失效与退化机理研究综述及展望
康建龙， 辛振， 陈建良， 王怀， 李武华 - 中国电机工程学报, 2020 - epjournal.csee.org.cn
SiC MOSFET 可以大幅提升变流器的效率和功率密度, 在高频, 高温, 高压等领域有较好的应用
前景. 但是, 由于其短路耐受时间短, 特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素, 致使SiC …
前景. 但是, 由于其短路耐受时间短, 特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素, 致使SiC …
[PDF][PDF] 基于变电阻驱动的SiC 器件开关轨迹协同调控
邹铭锐， 曾正， 孙鹏， 王亮， 王宇雷 - 电工技术学报, 2023 - dgjsxb.ces-transaction.com
摘要得益于优异的电-热性能, SiC 器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用. 然而, 相对于Si
器件, SiC 器件的开关速度更快, 安全裕度更低, 电磁干扰更大, 制约了其安全可靠运行 …
器件, SiC 器件的开关速度更快, 安全裕度更低, 电磁干扰更大, 制约了其安全可靠运行 …
[PDF][PDF] SiC, Si, 混合功率模块封装对比评估与失效分析
李晓玲， 曾正， 陈昊， 邵伟华， 胡博容， 冉立 - 中国电机工程学报, 2018 - researchgate.net
SiC,Si,混合功率模块封装对比评估与失效分析 Page 1 第38 卷第16 期 中国电机工程学报 Vol.38
No.16 Aug. 20, 2018 2018 年8 月20 日 Proceedings of the CSEE ©2018 Chin.Soc.for Elec.Eng …
No.16 Aug. 20, 2018 2018 年8 月20 日 Proceedings of the CSEE ©2018 Chin.Soc.for Elec.Eng …
SiC MOSFET 新型负压关断串扰抑制驱动电路
郑翔， 杭丽君， 曾庆威， 闫东， 陈克俭… - 中国电机工程 …, 2023 - epjournal.csee.org.cn
基于碳化硅(SiC) 材料的第三代宽禁带功率器件的出现, 推动着电力电子变换器朝着高频化,
高功率密度, 小型化方向发展. 但随着开关速度的提高, 电路中寄生参数的影响越来越大 …
高功率密度, 小型化方向发展. 但随着开关速度的提高, 电路中寄生参数的影响越来越大 …