Engineered phages for electronics
Y Cui - Biosensors and Bioelectronics, 2016 - Elsevier
Phages are traditionally widely studied in biology and chemistry. In recent years, engineered
phages have attracted significant attentions for functionalization or construction of electronic …
phages have attracted significant attentions for functionalization or construction of electronic …
The Co-60 gamma-ray irradiation effects on the Al/HfSiO4/p-Si/Al MOS capacitors
In this work, the initial interface trap density (N it) to examine device compability for
microelectronics and then the Co-60 gamma irradiation responses of Al/HfSiO 4/p-Si/Al …
microelectronics and then the Co-60 gamma irradiation responses of Al/HfSiO 4/p-Si/Al …
A comprehensive study on usage of Gd2O3 dielectric in MOS based radiation sensors considering frequency dependent radiation response
A Kahraman, E Yilmaz - Radiation Physics and Chemistry, 2018 - Elsevier
The purpose of this study is to investigate the Gadolinium Oxide (Gd 2 O 3) as a gate
dielectric/sensitive region in MOS based radiation sensors and to provide a detailed …
dielectric/sensitive region in MOS based radiation sensors and to provide a detailed …
Evaluation of the pre-irradiation electrical characteristics of the RadFET dosimeters with diverse gate oxides by TCAD simulation program
A Kahraman, E Yılmaz - Sakarya University Journal of Science, 2017 - dergipark.org.tr
The aim of the present study is to determine the pre-irradiation threshold voltages of the
RadFET dosimeters with gate oxide composed of high-k dielectrics and compare the results …
RadFET dosimeters with gate oxide composed of high-k dielectrics and compare the results …
Radiometric impact assessments and shielding of CubeSat class satellites in interaction with orbital radiation fields and representativity of the calibration procedure …
N Burgio - 2023 - iris.uniroma1.it
Abstract Using FLUKA and MCNP Monte Carlo nuclear particle transport codes, support for
radiation shielding design and assessing damage to aerospace components and systems …
radiation shielding design and assessing damage to aerospace components and systems …
FARKLI B+ İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET'LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PROGRAMI İLE İNCELENMESİ
A Kahraman, E Yılmaz - Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi …, 2017 - dergipark.org.tr
Bu çalışmada, RadFET'lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth
üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm …
üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm …
Yb2O3/SiO2 yığın kapı oksit tabakasının MOS tabanlı radyasyon sensörlerinde duyar bölge olarak kullanılabilirliğinin araştırılması
B Morkoç - 2020 - search.proquest.com
Bu çalışmada, Yb 2 O 3 ile n-Si arasına konulacak SiO2 katmanın arayüzey kalitesine etkisi
ve Yb 2 O 3/SiO 2 yığın kapı oksit tabakasının MOS tabanlı radyasyon sensörlerinde duyar …
ve Yb 2 O 3/SiO 2 yığın kapı oksit tabakasının MOS tabanlı radyasyon sensörlerinde duyar …
[PDF][PDF] FARKLI B İMPLANTASYON KOŞULLARI İÇİN RADFET'LERİN ELEKTRİKSEL KARAKTERİZASYONUNUN TCAD BENZETİM PROGRAMI İLE İNCELENMESİ
A KAHRAMAN, E YILMAZ - dergipark.org.tr
Bu çalışmada, RadFET'lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth
üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm …
üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm …
Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET'lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi
E Yılmaz - 2017 - acikerisim.uludag.edu.tr
Bu çalışmada, RadFET'lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth
üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm …
üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm …